RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3030
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link