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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
13.6
17.9
写入速度,GB/s
8.3
10.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3030
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