RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3025
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link