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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2034
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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