RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2034
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link