RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2034
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link