RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2231
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link