RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
23.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
19.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
58
Por volta de -123% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
19.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
4276
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link