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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
1997
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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