RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
19.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
23.1
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
4276
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link