RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17500
Por volta de 1.22 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
17.3
Largura de banda de memória, mbps
17500
21300
Other
Descrição
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2319
3938
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link