RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17500
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17500
21300
Other
Описание
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2319
3938
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link