RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17500
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
21300
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
3938
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link