Comparação RAM Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Pontuação geral

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Razões a considerar
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

33 34

Por volta de -3% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2616 2947

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns