RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB против Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2616
2947
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link