RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
51
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
20
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2965
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link