RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2965
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link