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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
3164
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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