RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
3164
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link