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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
63
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
28
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
3299
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
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