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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
7.7
17.3
写入速度,GB/s
5.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3299
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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