Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 41
    Por volta de -52% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.1 left arrow 13.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.5 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.3 left arrow 14.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.2 left arrow 8.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1982 left arrow 2436
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações