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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1952
3191
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparações de RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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