RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3191
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link