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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3171
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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