RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3171
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link