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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
92
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2804
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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