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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
92
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
32
读取速度,GB/s
2,105.4
11.4
写入速度,GB/s
1,266.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2804
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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