RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
92
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2804
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link