RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
92
Por volta de -149% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2757
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link