RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
92
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2757
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link