RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
92
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
6.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
1851
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link