RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
92
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1851
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link