RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
92
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1851
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link