RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
92
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1851
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link