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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
54
Por volta de -116% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2740
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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