RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2740
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link