RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
4022
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link