RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2612
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link