RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Comparar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,636.8
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
68
Por volta de -28% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
53
Velocidade de leitura, GB/s
4,540.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,636.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
827
3020
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link