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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,636.8
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
68
Por volta de -143% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,540.8
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,636.8
17.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
827
3963
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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