Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,636.8 17.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 68

Около -143% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,540.8 20.9
Скорость записи, Гб/сек

2,636.8 17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

827 3963

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

модули RAM