RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
72
Por volta de -118% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
3341
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link