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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
1832
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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