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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
比較する
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
総合得点
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
33
周辺 -10% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
30
読み出し速度、GB/s
17.8
11.7
書き込み速度、GB/秒
12.5
6.6
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3285
1832
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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