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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
17.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
1832
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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