RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1832
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link