RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
64
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2354
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link