RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
64
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
11.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2354
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link