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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
64
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,256.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2354
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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