RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
7.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2154
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link