RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
54
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.4
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
54
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2259
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link